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TOOLS / 器件

MOSFET 工作区分析器

用长沟道 NMOS 平方律模型判断截止、三极管区和饱和区。

浏览器本地计算平方律模型

快速理解

如何使用「MOSFET 工作区分析器」

3 步指南 +
  1. 填写参数按照字段说明输入数值、单位或本地文件；不确定时先阅读输入提示。
  2. 执行计算点击“计算”，结果区会显示关键数值、公式、单位和模型提醒。
  3. 判断边界结合假设与限制确认结果是否适合当前问题，不把前期估算当成仿真、综合或实测。

输入

参数

A
偏置条件
V
栅源直流电压；VGS ≤ VT 时按截止区处理
V
漏源直流电压；仅支持非负值
器件模型
V
增强型 NMOS 阈值电压
A/V²
长沟道平方律跨导参数；不等同于数据手册中的固定增益

数值工具会先更新本地预览；点击“计算”后才写入当前地址。

输出

计算结果

B
正在加载当前工具…
计算结果会显示在这里。

本机操作

计算在当前浏览器完成，不上传参数。

更多操作

知识回忆

概念速记

NOTE

概念、关系和工程边界。

01 / 30 秒回忆

MOSFET 工作区由 VGS、VDS 与阈值电压的关系决定。截止区几乎无沟道电流，三极管区适合压控电阻，饱和区常用于放大或电流源。

02 / 核心关系

长沟道 NMOS 饱和条件近似 VGS>VTH 且 VDS≥VGS−VTH；三极管区为 VDS<VGS−VTH。平方律模型只是一阶近似。

03 / 使用判断

先算过驱动电压 VOV=VGS−VTH，再比较 VDS 与 VOV，最后查看电流和功耗是否落在模型适用范围内。

NMOS 输出特性曲线和工作区示意图
NMOS 工作区判断：比较 VDS 与 VGS − VTH。
常见误区

把饱和区理解为电流完全不随 VDS 变化，或忽略 VGS 不超过阈值、体效应和沟道长度调制。

工程提醒

短沟道、低电压、强反型边界和高频开关不能只用平方律；器件选型要结合数据手册、SPICE 或实测曲线。

公式计算依据
  • 长沟道 NMOS 饱和条件近似 VGS>VTH 且 VDS≥VGS−VTH；三极管区为 VDS<VGS−VTH。平方律模型只是一阶近似。
边界假设与限制
  • 短沟道、低电压、强反型边界和高频开关不能只用平方律；器件选型要结合数据手册、SPICE 或实测曲线。